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深耕新基建 华微电子夺取关键一战

商机无限 时间:2020-06-29 09:04 点击: 作者:admin 来源: 鲁南财经网
[导读]在2020年的两会中,民进中央提交了关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案备受瞩目,提案建议应尽快实现我国功率半导体芯片自主供给。我国大功率芯片市场需求非常大,目前国内制造厂商正在不断努力前行,与海外传统巨头之间差距正逐步缩短,眼下国内企业

在2020年的两会中,民进中央提交了“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”备受瞩目,提案建议应尽快实现我国功率半导体芯片自主供给。我国大功率芯片市场需求非常大,目前国内制造厂商正在不断努力前行,与海外传统巨头之间差距正逐步缩短,眼下国内企业在本土市场应用中实现弯道超车,不再是蓝图中的梦想,而是实实在在的行动。

据数据统计,2019年全年,我国功率半导体市场规模已超百亿元;2020年第一季度,功率半导体市场占比翻三番,从业企业数量增长了15%左右。

市场资料显示,功率半导体市场应用十分广泛,从几十毫瓦的耳机放大系统到上千兆瓦的高压直流传输过程;从储能、家电到IT产品、网络通讯、新能源汽车等,功率半导体无处不在。作为功率半导体行业龙头企业,吉林华微电子股份有限公司成立半个多世纪以来,不仅游刃于功率半导体行业的生存,更擅长产品创新突破。

IGBT是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是能源变换和传输的核心,为各种高压大电流应用提供更高的系统效率和节能效果,广泛应用于工业控制、新能源、电动汽车、变频家电、轨道交通、智能电网等领域。

十年耕耘,终成正果。华微电子于2008年开始研制第一代IGBT芯片,是国内率先量产IGBT产品的企业之一,迄今为止已研发出四代IGBT芯片,采用国际先进的TrenchFS技术,在各领域广泛应用,拥有良好的口碑。目前正在开发集成电流传感和温度传感的第五代IGBT芯片。华微电子IGBT产品涵盖分立器件、IPM模块和PM模块,IGBT及配套FRD芯片均为自主研发和生产,产品电压范围为330V~1700V,电流范围为5A~800A。华微电子IGBT产品采用自主设计和专利,具有饱和压降低、关断损耗小的特点,既兼顾工作效率,具有高可靠性,充分发挥了公司设计与制造为一体的IDM品牌优势,为新基建应用的核心功率器件提供解决方案。

正如民进中央的提案所指出,随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用不断涌现的需求日益迫切,在我国功率半导体有庞大的市场需求利好下,行业内极易催生新产业新技术,在国家政策利好下,在国际环境风云变幻下,未来,功率半导体必将成为“中国芯”的最好突破口。

    责任编辑:赵怀朴
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